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PS7801J-1A
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Diode
MOS FET
Coupled
Forward Voltage
Reverse Current
Off-state Leakage Current
Output Capacitance
LED On-state Current
On-state Resistance
V F
I R
I Loff
C out
I Fon
R on
I F = 5 mA
V R = 5 V
V D = 20 V
V D = 0 V, f = 1 MHz, t ≤ 1 s
I L = 160 mA
I F = 5 mA, I L = 160 mA, t ≤ 10 ms
1.1
0.01
1.3
2.2
1.4
5.0
0.25
1.7
2.0
3.2
V
μ A
nA
pF
mA
Ω
Turn-on Time
Turn-off Time
*1, 2
*1, 2
t on
t off
I F = 5 mA, V O = 5 V, R L = 500 Ω ,
PW ≥ 10 ms
0.05
0.03
0.5
0.5
ms
Isolation Resistance
Isolation Capacitance
R I-O
C I-O
V I-O = 0.5 kV DC
V = 0 V, f = 1 MHz
10
9
0.3
Ω
pF
*1 Test Circuit for Switching Time
I F
Pulse Input
V L
Input
50%
0
Input monitor
V O monitor
V O = 5 V
90%
Output
R in
R L
t on
t off
10%
*2 The turn-on time and turn-off time are specified as input-pulse width ≥ 10 ms.
Be aware that when the device operates with an input-pulse width less than 10 ms, the turn-on time and turn-off
time will increase.
4
Data Sheet PN10687EJ01V0DS
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